Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 3 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Depozice GaN na wolframový substrát
Pikna, Štěpán ; Piastek, Jakub (oponent) ; Čalkovský, Vojtěch (vedoucí práce)
Tato experimentálně založená práce se zabývá depozicí nanokrystalů GaN na leptané wolframové hroty. Motivací bylo tyto GaN struktury deponovat na Schottkyho katody firmy ThermoFisher Scientific a změřit jejich emisivitu. Začátek práce je věnován rešerši studené emise z wolframu a GaN. V praktické části byla optimalizována výroba wolframových hrotů, kdy jsme došli k závěru, že vhodné hroty vznikají při teplotě 20 °C a hloubce ponoru 2,5 mm v roztoku NaOH. Dále byly na tyto hroty připraveny metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) galiové struktury, u kterých jsme zjistili lineární závislost na teplotě. Jako vhodná teplota substrátu pro depozici galia byla určena teplota 200 °C. Za této teploty byla provedena i nitridace. Depozice galia trvala 2 hodiny a následná nitridace 3 hodiny. Změřená emisivita GaN z povrchu mědi pokrytém grafenem vyšla v souladu s dříve provedenými experimenty.
Deposition and characterization of GaN nanocrystals with a metal core
Čalkovský, Vojtěch ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
The thesis deals with preparation and characterization of GaN nanocrystals with a metal core. In the theoretical part of the thesis GaN with its properties and applications is introduced. Further, substrates for the growth and dierent mechanisms of the growth of GaN are discussed. Further, metal NPs are introduced and their optical proper- ties are discussed towards plasmon coupling and photoluminiscent enhancement of GaN structures with Ag NPs. The experimental part concerns with four step preparation process of GaN nanocrystals with Ag core. Firstly, Ag NPs are deposited on Si(111) substrate, secondly passivated by native oxide. Third step is Ga deposition and last post-nitridation. Each step was optimized and studied by various methods such as XPS, SEM, photoluminiscence and Raman spectroscopy.
Návrh zdroje atomů uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v UHV
Čalkovský, Vojtěch ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části je stručně popsána problematika růstu epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část je věnována grafenu, popisu jeho vlastností, metodám výroby, zejména molekulární svazkovou epitaxí. Ve třetí části jsou stručně popsány různé metody detekce a analýzy atomárních svazků. V praktické části této bakalářské práce byl proveden návrh, příslušné numerické výpočty v programu Simion 8.0 a EOD a následná konstrukce uhlíkového atomárního zdroje. V závěru práce jsou popsány dosažené výsledky.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.