Název: Metody přenosu grafenu vedoucí k vysoké kvalitě grafenových polem řízených tranzistorů
Překlad názvu: Graphene transfer methods for high quality graphene field effect transistors
Autoři: Tesař, Jan ; Kormoš, Lukáš (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2018
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Tato bakalářská práce se zabývá vlivem různých metod přenosu grafenu na jeho kvalitu. Grafen byl vyroben pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition -- CVD). Charakterizace kvality následně přeneseného grafenu je založena na měření pohyblivosti nosičů náboje, které probíhalo na polem řízených tranzistorech vyrobených přenesením grafenové vrstvy na křemíkový substrát s vrstvou SiO$_2$. Metody přenosu, které jsou v této práci porovnávány, jsou chemické leptání a elektrolytická delaminace. Výsledky měření ukázaly, že grafenové vrstvy přenesené elektrolytickou delaminací vykazují přibližně čtyřikrát vyšší pohyblivost nosičů náboje, než ty, které byly přeneseny pomocí metody chemického leptání. This bachelor thesis is focused on the influence of different graphene transfer methods on its quality. Graphene layers were grown by Chemical Vapour Deposition (CVD) method. The quality characterization of subsequently transfered graphene is based on the measurement of charge carrier mobility which has been performed on the field-effect transistors fabricated by transferring of graphene layers onto Si/SiO$_2$ surface. Chemical etching and electrolytic delamination are the transfer methods that are being compared in this thesis. Results of the measurements showed that graphene layers transferred by electrolytic delamination exhibit approximately four times higher charge carrier mobility than those transferred by the chemical etching method.
Klíčová slova: CVD grafen; elektrolytická delaminace; metoda chemického leptání; pohyblivost nosičů náboje; polem řízený tranzistor; charge carrier mobility; chemical etching method; CVD graphene; electrolytic delamination; field-effect transistors

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/83776

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-382681


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce