Název: Preparing of the Chameleon coating by the Ion Jet Deposition method
Autoři: Skocdopole, J. ; Aversa, L. ; Golan, Martin ; Schenk, A. ; Baldi, G. ; Kratochvílová, Irena ; Kalvoda, L. ; Nozar, P.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: 6th Student Scientific Conference on Solid State Physics, SSCSSP-6, Praha (CZ), 20160627
Rok: 2017
Jazyk: eng
Abstrakt: Preparation of chameleon coatings using an Ionized Jet Deposition (IJD) technique is reported in the present paper. IJD is a new flexible method for thin film deposition developed by Noivion, Srl. The chameleon coatings are thin films characterised by a distinct change of their tribological properties according to the external conditions. The deposited films of SiC and TiN materials were examined by the Raman spectroscopy, SEM and XPS. The results of the Raman spectroscopy have proved an amorphous structure of SiC films. The data from XPS on TiN films have shown that the\nfilms are heavily oxidized, but also prove that the films are composed of TiN and pure Ti. The SEM provided information about the size of grains and particles constituting the deposited films, which is important for tribological properties of the films. Deposition of the chameleon coating is very complex problem and IJD could be ideal method for preparation of this coating.\n
Klíčová slova: Chameleon coating; Ion Jet Deposition; Raman spectroscopy; scanning electron microscope; X-ray photoelectron spectroscopy
Zdrojový dokument: Acta Polytechnica CTU Proceedings, ISBN 978-80-01-06298-2, ISSN 2336-5382

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0275071

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-367378


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
 Záznam vytvořen dne 2017-10-30, naposledy upraven 2021-11-24.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet