host ::
| Hlavní stránka > Konferenční materiály > Příspěvky z konference > The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon |
Název:
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon
Autoři: Stuchlík, Jiří ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlíková, The-Ha ; Ledinský, Martin ; Čermák, Jan ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, Radek ; Mortet, Vincent ; More Chevalier, Joris ; Ashcheulov, Petr ; Purkrt, Adam ; Remeš, Zdeněk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./, Brno (CZ), 20161019
Rok: 2017
Jazyk: eng
Abstrakt: We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 °C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
Klíčová slova: a-Si:H; Ge nanoparticles; MBE; PECVD
Číslo projektu: GA13-12386S (CEP), KONNECT-007, GA13-31783S (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, AV ČR, GA ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings, ISBN 978-80-87294-71-0
Poznámka: Související webová stránka: https://www.nanocon.eu/cz/sbornik-nanocon-2016/
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0274527
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-364671
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Autoři: Stuchlík, Jiří ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlíková, The-Ha ; Ledinský, Martin ; Čermák, Jan ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, Radek ; Mortet, Vincent ; More Chevalier, Joris ; Ashcheulov, Petr ; Purkrt, Adam ; Remeš, Zdeněk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./, Brno (CZ), 20161019
Rok: 2017
Jazyk: eng
Abstrakt: We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 °C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
Klíčová slova: a-Si:H; Ge nanoparticles; MBE; PECVD
Číslo projektu: GA13-12386S (CEP), KONNECT-007, GA13-31783S (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, AV ČR, GA ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings, ISBN 978-80-87294-71-0
Poznámka: Související webová stránka: https://www.nanocon.eu/cz/sbornik-nanocon-2016/
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0274527
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-364671
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Záznam vytvořen dne 2017-10-04, naposledy upraven 2022-09-29.