Original title: MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
Translated title: MOVPE InAs/GaAs quantum dots with long-wavelength emission
Authors: Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan
Document type: Papers
Conference/Event: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./, Brno (CZ), 2006-06-23 / 2006-06-28
Year: 2006
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm. One method which enables the shift of photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots toward longer wavelengths is the covering of the dots by In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As strain reducing layer. With the increasing x we have observed the shift of PL maxima from 1.28 μm to 1.46 μm.
Keywords: GaAs; InAs; MOVPE; photoluminescence; quantum dot
Project no.: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), KJB101630601 (CEP), GA202/06/0718 (CEP), GA202/05/0242 (CEP), LC510 (CEP), LC06040 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR, GA ČR, GA ČR, GA MŠk, GA MŠk
Host item entry: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích

Institution: Institute of Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0136926

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-35801


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Physics
Conference materials > Papers