Original title:
Research of Technology Used for Fabrication of Active and Passive Waveguides on Semiconductor Base
Translated title:
Výzkum postupu pro přípravu aktivních a pasivních vlnovodů v polovodičích
Authors:
Prajzler, V. ; Špirková, J. ; Oswald, J. ; Peřina, Vratislav ; Hüttel, I. ; Hamáček, J. ; Machovič, V. ; Burian, Z. Document type: Papers Conference/Event: Workshop 2005, Prague (CZ), 2005-03-01 / 2005-03-02
Year:
2005
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] The magnetron sputtering was used to fabricate RE doped GaN layers fabricated by magnetron sputtering on various substrate using a gaseous mixture of nitrogen and argon as precursors. The doping of the GaN films with RE occurred simultaneously with the sputtering process when placing the metal RE pellets or RE powder onto the Ga2O3 target. The amount of the incorporated erbium increased with increasing weight of the RE pellets or RE powder. We observed photoluminescence emission at 1 550 nm due to the 4I13/2 → 4I15/2 transition under excitation at 488 nm and 980 nm.Magnetronové naprašování bylo použito k přípravě galium nitridových vrstev dopovaných vzácnými zeminami na různé podložky s použitím plynné směsi dusíku s argonem. Dopování bylo aplikováno současně s přípravou umístěním kovových nebo práškových tablet vzácných zemin. Dopované množství rostlo s rostoucím objemem tablet. Byla pozorována fotoluminiscenční emise při 155 nm přechodu 4I13/2 → 4I15/2 při excitaci vlnovými délkami 488 a 980 nm.
Keywords:
doped galium nitride; magnetron sputering; surface analyses Project no.: CEZ:AV0Z10480505 (CEP), GA104/03/0385 (CEP) Funding provider: GA ČR Host item entry: CTU reports Proceedings of Workshop 2005, ISBN 80-01-03201-9
Institution: Nuclear Physics Institute AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0120312