Název:
Research of Technology Used for Fabrication of Active and Passive Waveguides on Semiconductor Base
Překlad názvu:
Výzkum postupu pro přípravu aktivních a pasivních vlnovodů v polovodičích
Autoři:
Prajzler, V. ; Špirková, J. ; Oswald, J. ; Peřina, Vratislav ; Hüttel, I. ; Hamáček, J. ; Machovič, V. ; Burian, Z. Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Workshop 2005, Prague (CZ), 2005-03-01 / 2005-03-02
Rok:
2005
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] The magnetron sputtering was used to fabricate RE doped GaN layers fabricated by magnetron sputtering on various substrate using a gaseous mixture of nitrogen and argon as precursors. The doping of the GaN films with RE occurred simultaneously with the sputtering process when placing the metal RE pellets or RE powder onto the Ga2O3 target. The amount of the incorporated erbium increased with increasing weight of the RE pellets or RE powder. We observed photoluminescence emission at 1 550 nm due to the 4I13/2 → 4I15/2 transition under excitation at 488 nm and 980 nm.Magnetronové naprašování bylo použito k přípravě galium nitridových vrstev dopovaných vzácnými zeminami na různé podložky s použitím plynné směsi dusíku s argonem. Dopování bylo aplikováno současně s přípravou umístěním kovových nebo práškových tablet vzácných zemin. Dopované množství rostlo s rostoucím objemem tablet. Byla pozorována fotoluminiscenční emise při 155 nm přechodu 4I13/2 → 4I15/2 při excitaci vlnovými délkami 488 a 980 nm.
Klíčová slova:
doped galium nitride; magnetron sputering; surface analyses Číslo projektu: CEZ:AV0Z10480505 (CEP), GA104/03/0385 (CEP) Poskytovatel projektu: GA ČR Zdrojový dokument: CTU reports Proceedings of Workshop 2005, ISBN 80-01-03201-9
Instituce: Ústav jaderné fyziky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0120312