TY - THES TI - Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC TT - Diagnostic of semiconductor materials by EBIC method AU - Davidová, Lenka AB - Master´s thesis is focused on diagnostics of semiconductor materials by EBIC method (measuring of currents induced beam), determination of the lifetime of minority carriers, or their diffusion length. The theoretical part is aimed at the principle of scanning electron microscopy, the characteristic properties of the microscope and the signals generated by the interaction of the primary electron beam with the sample. The thesis describes a structure of semiconducting silicon, band models, types of lattice defects and doped of semiconductor structures. After that it is described the theory of calculation of the diffusion length of minority carriers in semiconductors of type N and P. The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers based on the measured data The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers on the basis of the measured data. AB - Diplomová práce je zaměřena na diagnostiku polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudů indukovaných svazkem), stanovování doby života minoritních nosičů, resp. jejich difuzní délky. V teoretické části práce je uveden princip rastrovacího elektronového mikroskopu, jeho charakteristické vlastnosti mikroskopu a signály vznikající při interakci svazku primárních elektronů se vzorkem. Dále je v práci popsána struktura polovodivého křemíku, jeho pásové modely, typy poruch krystalové mříže a vytvoření nevlastních polovodičových struktur. Následně je popsána teorie výpočtu doby života minoritních nosičů náboje a výpočty difuzní délky minoritních nosičů náboje v polovodičích typu N a P. Cílem experimentální části práce je měření vlastností polovodičových struktur metodou EBIC a stanovení difuzní délky a doby života minoritních nosičů náboje na základě změřených dat. UR - http://www.nusl.cz/ntk/nusl-319289 UR - http://hdl.handle.net/11012/67147 A2 - Máca, Josef A2 - Čudek, Pavel LA - cze KW - urychlovací napětí. KW - difuzní délka nosičů KW - Rastrovací elektronový mikroskop KW - Scanning electron microscope KW - vlastní polovodič KW - PN přechod KW - nevlastní polovodič KW - acceleration voltage. KW - diffusion length KW - EBIC KW - carrier lifetimes KW - intrinsic semiconductor KW - PN junction KW - doba života nosičů KW - extrinsic semiconductor PY - 2017 PB - Vysoké učení technické v Brně‎, Antonínská 548/1, 601 90 Brno, http://www.vutbr.cz/ ER -