Název: Leptání SiO2 pomocí depozice Si
Překlad názvu: SiO2 etching by Si deposition
Autoři: Pokorný, David ; Bábor, Petr (oponent) ; Polčák, Josef (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2017
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: AFM; depozice; křemík; SiO; SiO2; tenká vrstva; termální rozklad; UHV; XPS; AFM; deposition; silicon; SiO; SiO2; thermal decomposition; thin film; UHV; XPS

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/65057

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-316215


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce
 Záznam vytvořen dne 2017-05-18, naposledy upraven 2022-09-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet