Original title: Frekvenčně stabilizovaný polovodičový laserový zdroj pro interferometrii s vysokým rozlišením
Translated title: Frequency stabilized semiconductor laser source for high-resolution interferometry
Authors: Řeřucha, Šimon ; Hucl, Václav ; Holá, Miroslava ; Čížek, Martin ; Pham, Minh Tuan ; Pravdová, Lenka ; Lazar, Josef ; Číp, Ondřej
Document type: Papers
Conference/Event: LASER56., Třešť (CZ), 20161019
Year: 2016
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Sestavili jsme experimentální laserový systém, založený na laserové diodě typu DBR (Distributed Bragg Reflector), frekvenčně stabilizovaný na absorpční čáry v parách molekulárního jodu. Laserový systém operuje na vlnové délce ležící v blízkosti vlnové délky stabilizovaných helium-neonových (HeNe) laserů (tj. 633 nm), které představují de-facto standardní laserový zdroj v oblasti metrologie délek. Cílem bylo ověřit, že parametry takového systému umožní jej využít jako náhradu právě He-Ne laserů, která navíc umožní větší rozsah a větší šířku pásma přeladění optické frekvence a vyšší výkon. Experimentálně jsme ověřili základní charakteristiky laserového zdroje, které jsme dále porovnali s charakteristikami typického frekvenčně stabilizovaného He-Ne laseru. K tomu jsme využili experimentální uspořádání blízké typickým využitím laserové interferometrie v metrologii délky. Výsledky prokazují, že laserový systém, založený na laserové diodě DBR představuje vhodný zdroj pro aplikace v (nano) metrologii délky tím, že zachovává fundamentální požadavky na laserový zdroj jako frekvenční stabilita a koherenční délka a zároveň umožňuje přeladění optické frekvence o více než 0.5 nm s šířkou pásma modulace až několik MHz, vyšší výkon v řádu několika mW a díky stabilizaci i fundamentální metrologickou návaznost. We have assembled an experimental iodine stabilized Distributed Bragg Reflector (DBR) diode based laser system lasing at a wavelength that is in a close proximity to the wavelength of a stabilized He-Ne lasers traditionally used for metrological applications (λ=632.9 nm in vacuum). The aim was to verify whether such a system could be used as an alternative to the He-Ne laser while yielding wider optical frequency tuning range, higher output power and high frequency modulation capability. We have measured the basic characteristics of the laser source and then we have compared the performance of the laser system with that of a traditional frequency stabilized He-Ne laser with a series of experimental arrangements similar to those usually found in laser interferometry and displacement metrology applications. The results indicate that DBR diode laser system provides a good laser source for applications in dimensional (nano)metrology since it provides more output power and advanced tunability options than stabilized He-Ne lasers while maintaining fundamental requirements such as the frequency stability, coherence length and also a defined traceability.\n\n
Keywords: DBR; diode laser; iodine stabilization; laser interferometry; optical metrology
Project no.: GB14-36681G (CEP), LO1212 (CEP), ED0017/01/01
Funding provider: GA ČR, GA MŠk, GA MŠk
Host item entry: Sborník příspěvků multioborové konference LASER56, ISBN 978-80-87441-18-3

Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0263539

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-261312


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Scientific Instruments
Conference materials > Papers