Název: Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod
Překlad názvu: Calculation of Interactions of Graphene/SiO2 System with Adsorbed Atoms and Molecules using DFT Methods
Autoři: Nezval, David ; Friák, Martin (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2015
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Tato diplomová práce studuje změny elektrických vlastností grafenu vlivem substrátu SiO2, adsorbovaných molekul vody a atomů gallia. Jsou zde testovány různé geometrické konfigurace těchto systémů a následně počítána pásová spektra pro odvození změn elektronových vlastností: zejména dopování a otevírání pásu zakázaných energií grafenové vrstvy. This master's thesis studies the electronic properties changes of graphene caused by substrate SiO2, adsorbed molecules of water and atoms of gallium. There are tested different geometrical configurations of these systems and consequently calculated band structures to derive the changes of the electronic properties: the doping effect and band gap opening of graphene layer.
Klíčová slova: Ab initio výpočty; elektronové vlastnosti; gallium; grafen; substrát SiO2; voda; Ab initio calculations; electronic properties; gallium; graphene; substrate SiO; water

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/41570

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-231953


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce