Název: Obecná metodika modelování vysokoteplotních technologických procesů metodou konečných prvků
Překlad názvu: General methodology for high temperature processes of semiconductor technology by the finite element methods
Autoři: Jirásek, Vít ; Potocký, Štěpán ; Sveshnikov, Alexey
Typ dokumentu: Metodiky
Rok: 2014
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Byla vyvinuta obecná metodika modelování vysokoteplotních reaktorů vyráběných SVCS Process Innovation, s.r.o. metodou konečných prvků, resp. konečných objemů. Metodika zahrnuje principy práce se SW balíky pro multifyzikální CFD modelování se zřetelem na navzájem propojené procesy chemicky reagujícího proudění, transportu hmoty a tepla. Značná část je dále věnována vztahu model-experiment, verifikaci a validaci modelů a porovnání výpočtů s experimenty. A general methodology for modeling of high-temperature reactors produced by SVCS Process Innovation, Ltd., using the finite element, resp. finite volume method, was developed. The methodology covers basics principles of working with SW packages for CFD modeling with the emphasis on the strongly coupled processes of chemically reacting fluid flow, mass and heat transport. An important part is devoted to the model-experiment relationship, verification and validation of models and comparison with experiments.
Klíčová slova: boron diffusion; CFD modelling; high temperature oxidation; high temperature reactor; LPCVD; PECVD; phosphorus diffusion
Číslo projektu: TA01020972 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA TA ČR

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0251280

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-200949


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Analytické a metodické materiály > Metodiky